Carbură de siliciu sic

Carbura de siliciu SIC nu are un punct de topire și fierbere în sens general și are un mic coeficient de expansiune termică și o conductivitate termică ridicată. Rezistivitatea purității ridicate SIC scade odată cu creșterea temperaturii, iar relația dintre rezistivitatea și temperatura SIC care conține impurități este complicată
Carbura de siliciu SIC este un important material anorganic nemetalic și un material semiconductor de a treia generație.
Carbura de siliciu SIC este un fel de material cu duritate ridicată, punct de topire ridicat, stabilitate chimică ridicată, conductivitate termică bună și proprietăți electrice excelente.
Poate fi utilizat în abrazive, refractare, substanțe chimice, dispozitive electronice, câmpuri de energie auto și nucleară.
În domeniul ambalajului electronic, poate fi folosit ca material de ambalare pentru a efectua rapid căldura; În domeniul acoperirii rezistente la uzură, poate fi utilizat pentru a pregăti acoperirea rezistentă la uzură, pentru a îmbunătăți durata de service a pieselor mecanice, a instrumentelor, etc.; În domeniul opticii, poate fi utilizat pentru fabricarea detectoarelor ultraviolete, ferestre optice, etc.
Factorul de preț: Materiile prime cu grad semiconductor au cerințe de puritate ridicată, costuri de purificare ridicate, iar costurile lor sunt adesea 3-5 de ori ale materiilor prime industriale, iar cererea de modernizări tehnologice poate crește prețurile pe termen scurt.